氮化镓技术新突破:1200V高压与12英寸晶圆引领GaN市场新纪元
来源:ictimes 发布时间:2024-07-31 分享至微信

在半导体技术的浪潮中,氮化镓(GaN)以其卓越的性能特性,正逐步成为汽车与半导体行业的宠儿。近日,国内两大GaN领军企业——宇腾科技与云镓半导体,相继推出了具有里程碑意义的创新产品,不仅加速了GaN技术在汽车领域的应用进程,更彰显了我国在第三代半导体领域的强劲实力。


宇腾科技凭借其深厚的技术积累,成功研发出工作电压高达1200V的蓝宝石基氮化镓功率器件(GaN-on-Sapphire HEMT),这一成就不仅标志着国内GaN技术的重大突破,更为高功率应用场景提供了更为可靠的解决方案。目前,宇腾科技已实现四种规格产品的量产,并正积极推进更高规格产品的研发,预计2024年Q4将实现25mΩ/60A规格产品的量产。作为西部地区唯一一家GaN外延片生产企业,宇腾科技在GaN外延片设计与生产领域的领先地位不容小觑。


与此同时,云镓半导体也不甘落后,推出了全球首款基于12英寸晶圆的650V/12mR超大电流GaN芯片。这款产品的问世,不仅彰显了云镓半导体在GaN晶圆制造领域的领先地位,更为大功率电源及电动汽车主驱等高端应用提供了强有力的技术支持。该芯片凭借12mR的超低导通电阻及高于90%的测试良率,赢得了市场的广泛关注。未来,云镓半导体将继续深耕GaN技术在电动汽车领域的应用,致力于解决短路耐量问题并拓宽额定电压范围,以适配更高性能的800V及以上车型。


随着宇腾科技与云镓半导体的新品发布,氮化镓技术正以前所未有的速度向前迈进。高电压、大电流、低导通电阻等优异性能,使得GaN在新能源汽车、电源管理、高速通信等领域展现出巨大的应用潜力。


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