半导体巨头英飞凌近日宣布，已成功开发出全球首款12英寸功率氮化镓（GaN）晶圆，这一技术突破预计将显著推动氮化镓功率半导体市场的扩张。英飞凌表示，与8英寸晶圆相比，12英寸晶圆的生产能力提升了2.3倍，这不仅提高了生产效率，也意味着更高效的芯片制造技术。

氮化镓功率半导体因其在工业、汽车、消费电子、计算和通信等领域的广泛应用而迅速受到市场青睐。英飞凌的先进氮化镓制造工艺能够提供更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的成本，从而为客户带来显著的便利。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck强调，这一技术进步将改变行业格局，释放氮化镓的全部潜力。公司利用在奥地利维拉赫的功率工厂中现有的12英寸硅晶圆生产线成功制造了12英寸氮化镓晶圆，并将根据市场需求进一步扩大产能。

英飞凌的12英寸氮化镓技术能够利用现有的12英寸硅晶圆制造设备，这一点得益于氮化镓和硅的制造工艺相似性。这一优势使得英飞凌能够快速实施新技术并有效利用资源。

全面规模化量产12英寸氮化镓将有助于实现氮化镓与硅在成本上的平价，预示着未来同类产品的成本将趋于一致。英飞凌计划在2024年11月的慕尼黑电子展上向公众展示首批12英寸氮化镓晶圆，进一步展示其在氮化镓技术领域的领先地位。