韩国半导体企业Apro Semicon宣布了一项重大技术突破，成功研发出8英寸1200V硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片，并预计今年年底实现大规模量产。这一成果标志着Apro Semicon在GaN技术领域的显著进步，有望引领高效功率转换市场的新一轮变革。
经过三年的潜心研发，Apro Semicon的8英寸GaN外延片在击穿电压、功率转换效率及外延片质量上均达到行业领先水平，其中最高可承受电压达1600V，外延片厚度和均匀性质量提升至99%。这一产品不仅满足了母公司Apro对二次电池活化设备的需求，更因应市场对快速充电器、电源及汽车电子中GaN功率半导体的旺盛需求，拓宽了市场应用前景。
为加速GaN外延片的规模化生产，Apro Semicon正积极进行融资活动，计划通过B轮融资引入500亿韩元资金。同时，公司已斥资约100亿韩元引进新MOCVD设备，并建设完成龟尾GaN外延工厂，预计年底投入运营。该工厂将与DB HiTeK等代工厂合作，共同推动GaN半导体芯片的产业化进程。
