英飞凌成功推出全球首创的12英寸（300mm）GaN晶圆技术。

英飞凌CEO Jochen Hanebeck高瞻远瞩，预见到这一技术市场在未来几年内将迅速膨胀至数十亿美元的规模，充分证明了其对公司技术实力和市场洞察力的自信。而英飞凌电源与传感器系统总裁Adam White则透露，首批采用这一先进技术的GaN芯片样品将于2025年第四季度亮相，无疑为行业内外注入了极大的期待与兴奋。

值得注意的是，英飞凌此次推出的12英寸GaN晶圆技术，相较于传统8英寸晶圆，其生产效率得到了显著提升，单片晶圆上可制造的GaN芯片数量增加了近一倍。这一转变不仅符合当前半导体行业向大尺寸晶圆过渡的趋势，更为功率芯片行业带来了前所未有的产能提升和成本优化。

GaN作为硅基芯片的强有力竞争者，以其卓越的效率、速度、轻量化设计以及在极端环境下的稳定工作性能，正逐步成为众多高科技领域的首选材料。英飞凌此番在GaN技术上的突破，无疑将进一步推动其在全球功率半导体市场的领先地位。

此外，英飞凌在技术创新上的步伐并未停歇。今年早些时候，公司通过收购GaN Systems，实现了双方在氮化镓技术研发上的强强联合。