近日，英飞凌宣布成功开发出全球首款12英寸氮化镓（GaN）晶圆，并计划在慕尼黑electronica贸易展上揭开其神秘面纱。

英飞凌的这一突破，不仅彰显了其在氮化镓领域的深厚积累与创新能力，更是对全球半导体市场的一次重要献礼。据英飞凌官方透露，这款12英寸GaN晶圆是在其奥地利Villach功率工厂中，利用现有的12英寸硅基半导体生产线，通过集成试验线精心打造而成。

相较于传统的8英寸晶圆，12英寸晶圆在芯片生产效率与容纳量上实现了质的飞跃，单片晶圆可承载的芯片数量提升至2.3倍，这一变化对于提升产能、降低成本具有重要意义。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck对此表示：“这一成就凝聚了我们全球团队的不懈努力与创新智慧，它不仅标志着我们在氮化镓技术领域的领先地位，更将成为改变行业游戏规则的关键力量。我们坚信，随着技术的不断成熟与市场的持续拓展，氮化镓的潜力将得到全面释放。”

尤为值得一提的是，英飞凌的300毫米氮化镓技术还具备与现有硅制造设备的高度兼容性，这一特性极大地加速了技术的推广与应用进程。英飞凌高产量300毫米硅生产线的存在，为氮化镓技术的测试与实施提供了理想平台，不仅缩短了技术转化周期，还提高了资本利用效率。