美国纽约收到首批高数值孔径极紫外光刻机组件

每台高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机的造价高达4亿美元（约27.13亿元人民币），其主要作用是满足未来先进制程芯片尺寸持续微缩的需求。据称，该设备具备极高的精度，能够助力半导体产业突破纳米限制，正式进入埃米时代。在采购方面，英特尔率先引进了该设备以重返先进制程市场，三星电子随后也追加了订单。此外，台积电原本规划在2028年前后将其导入A14工艺节点，但今年初其与ASML的采购价格谈判未能达成一致。

近期，下一代High NA EUV光刻机的部分零部件已抵达美国纽约州，专门用于半导体制造技术的研发工作。据纽约州创新局首席执行官Dave Anderson透露，位于奥尔巴尼纳米科技中心（Albany NanoTech Complex）的非营利机构NY Creates已于7月21日接收了首批组件。这批物资属于设备的底部核心模块，剩余部件将在接下来的几周内分批送达并完成组装，整机预计在今年年底前正式启用。随着芯片微缩工艺日益逼近摩尔定律的物理极限，此举被视为美国构建前沿光刻技术研发体系的关键环节。

作为美国国家半导体技术中心（NSTC）确立的首个旗舰基地，奥尔巴尼纳米科技中心专注于先进封装、芯片开发以及EUV光刻技术等前沿领域，并获得了8.25亿美元（约55.95亿元人民币）的联邦初始拨款以打造EUV光刻加速平台。据纽约州创新局首席执行官Dave Anderson介绍，该机构是北美地区同类型设施中的独苗，其规模与研究重心对标比利时的Imec。纽约州政府官员指出，该High NA EUV光刻中心的落成，离不开州政府10亿美元（约67.82亿元人民币）的拨款以及业界高达90亿美元（约610.34亿元人民币）的资金注入。目前，该中心的成员涵盖了IBM、美光科技和应用材料等巨头，其合作方东京电子（Tokyo Electron）也已在今年早些时候向其提供了一套先进的300毫米晶圆涂胶显影设备。

注：按1美元≈6.78人民币计算