不靠极紫外光刻，原集微首条2D芯片产线启用

原集微科技（上海）有限公司日前宣布，全球首条8英寸二维半导体试产线正式投入使用。该产线已具备流片能力，覆盖了从二维材料制备、器件制造到芯片集成的完整工艺流程，标志着二维半导体技术从实验室研究迈入工程验证与产业化阶段。

与主流的CMOS工艺不同，二维半导体采用二硫化钼或二硒化钨等过渡金属硫族化物，材料厚度仅为几个原子层。这种物理特性可有效抑制短沟道效应与漏电问题，使晶体管无需引入复杂的栅极结构即可持续微缩。原集微董事长包文中介绍，相较于传统硅芯片，二维半导体不仅漏电率更低、能耗表现更佳，未来若结合三维堆叠技术，还将进一步提升存储密度与系统集成能力，为人工智能与高性能计算提供新的架构方案。

据《南华早报》报道，原集微预计于2026年底前建立相当于传统硅工艺90纳米节点的制造能力，并计划在2029年前打造出等效5纳米的本土工艺平台，且全程无需依赖极紫外（EUV）光刻设备。

不过，业界指出二维半导体距离大规模商业化仍有较长距离。实现大面积均匀材料沉积、提高良率、完善电子设计自动化（EDA）工具及设备生态系统，仍是技术落地的主要难题。上海市科学技术委员会表示，二维芯片是全球下一代半导体竞争的重要方向，需要材料、设备、制造与封装测试等产业链环节同步推进。原集微也呼吁建立完整的产业联盟，强调新一代半导体平台的建设需要全行业共同参与。