ASML披露扩产计划，英特尔量产高NA光刻机

据法新社报道，阿斯麦（ASML）近日公布了2027年与2028年的产能扩充规划。该公司指出，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克拟在得克萨斯州投建的Terafab大型晶圆厂试产线，其对光刻设备的需求已被纳入此次扩产考量之中。

在第二季度财报电话会议上，ASML首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）透露，公司正与各大客户保持密切沟通，充分掌握其晶圆厂建设进度，上述Terafab项目正是整体扩产布局的一环。达森强调，受人工智能热潮带动，ASML未来两年计划将极紫外（EUV）光刻机产能提升30%，但目前2027年的EUV产能已基本售罄，同时2028年的大量订单也已锁定，存储与逻辑芯片代工厂的需求尤为旺盛。此外，他提到，若受美国出口管制限制导致中国芯片制造产能扩张受阻，全球芯片总需求不会改变，相关生产环节将向其他地区转移。

受人工智能需求激增影响，ASML标准低数值孔径（Low NA）EUV光刻机的订单量大幅攀升，设备交付周期已超过一年。此前，从洁净室投产到最终发货的周期约为22周。达森表示，公司正致力于将这一周期压缩至15到16周。除了协同供应链优化模块化设备的制造外，ASML还在改进内部流程。通过在不降低质量的前提下精简测试环节，洁净室内的设备流转时间得以缩短，从而提升整体产量，这一举措也得到了客户的认可。

在先进制程设备应用方面，据ASML与英特尔发布的联合声明显示，英特尔已在其位于美国俄勒冈州的晶圆厂内，正式将高数值孔径（High NA）EUV光刻机应用于部分Ultra 3（Panther Lake）处理器的量产。在18A工艺节点中，英特尔同步引入了标准EUV与High NA EUV光刻机，其中高数值孔径设备主要用于处理芯片的特定掩膜层，以收集数据并优化设备性能。英特尔执行副总裁兼首席技术官、首席运营官及晶圆代工部门总经理纳加·钱德拉塞卡兰（Naga Chandrasekaran）指出，双方的深度合作证明了High NA EUV在先进半导体制造中具备规模化整合的可行性。早在2024年，英特尔便在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地接收了全球首台High NA设备，此次则是将其正式推向量产阶段。不过，达森透露，目前全球交付的High NA EUV光刻机数量仍维持在1至3台的较低水平。

据悉，High NA EUV光刻机单台售价约4亿美元（约人民币27.11亿元），价格约为标准EUV设备的两倍，且技术导入门槛较高。此前，晶圆代工头部企业台积电曾坦言，由于新一代设备成本过于高昂，难以直接用于大规模量产，因而推迟了引入该技术的时间表。英特尔率先在18A工艺的部分掩膜层实现High NA EUV量产，为ASML推广此类高端产品线提供了实际应用案例。

注：按1美元≈6.78人民币计算