俄罗斯150nm光刻机启动测试

近日，俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心正式开启了两套150纳米工艺节点电子束光刻设备原型的系统性测试工作，整个验证周期预计耗时四个月左右。据俄罗斯第一副总理丹尼斯·曼图罗夫透露，该国正致力于提升本土微电子产业的综合实力，并计划在2026年底前实现130纳米光刻技术的自主掌握。

在技术特性方面，该套光刻系统具备直接在晶圆表面进行集成电路图形化的能力，并支持无掩模直写加工。此类技术方案主要面向芯片原型开发、前期研发阶段以及专用集成电路的小批量试产需求。

从全球半导体制造的行业现状来看，包括台积电和英特尔在内的头部晶圆厂，已导入极紫外（EUV）光刻设备，并逐步推进1.8纳米至2纳米先进制程的规模化量产。相比之下，俄罗斯目前测试的150纳米制程在器件特征尺寸与晶体管集成度等关键指标上，与业界最前沿的商用标准仍存在明显的技术代差。