高塔半导体扩建三百毫米产线，获日本十亿美元补贴

据报道，高塔半导体（Tower Semiconductor）近日宣布，在日本政府的支持下，公司将同步推进两条路线，对其300毫米硅光、锗硅以及先进封装生产线进行战略性扩建，以满足不断增长的客户需求并提升制造产能。

据悉，此次双线扩建项目预计总投资约30亿美元（约人民币203.41亿元），其中日本政府将提供10亿美元（约人民币67.80亿元）的补贴。此举旨在完善日本本土的高端制造能力，增强半导体供应链的抗风险能力。

在具体规划上，第一条扩建路线主要涉及新增300毫米硅光产能。该计划将改造原有的6号晶圆厂Arai厂区，用于建设硅光与先进封装生产线，并释放7号晶圆厂的产能。整套生产线预计在2027年第四季度全面量产。基于此业务增长预期，高塔半导体将2028年的营业收入目标调整为36亿美元（约人民币244.09亿元），净利润目标设为12亿美元（约人民币81.36亿元）。

第二条扩建路线将与第一条同步开展。在相关协议签署后，公司将在7号晶圆厂附近新建一座300毫米制造厂区。新厂区落成后，硅光与锗硅的产能将大幅提升，从而更好地承接人工智能和数据中心等新兴应用带来的订单，满足下一代光学互联技术的需求。该厂区预计从2029年开始为公司创造额外收益。

高塔半导体首席执行官Russell Ellwanger表示，通过在现有成熟厂区旁新建生产线，第二条路线能够有效避免新厂区认证和跨厂区产品转移带来的工艺磨合周期，从而降低时间与产能波动的风险，确保产品按时交付。此外，公司将继续深化与富山县、新潟县的合作，加大在鱼津和Arai厂区的投入，完善区域半导体产业配套，并与当地高校及科研机构联动，培养新一代专业人才，推动区域经济的长期增长。

注：按1美元≈6.78人民币计算