高塔半导体获日本资助，投30亿美元扩建12英寸产线

据报道，特色工艺晶圆代工企业高塔半导体近期公布了一项双轨道战略扩张方案。该计划旨在应对人工智能与数据中心算力激增所引发的高速光互连需求。为此，该企业预计投入约30亿美元（约人民币203.34亿元），在日本全面扩充12英寸硅光子、硅锗及先进光学封装的生产能力。

消息指出，此次扩产项目获得了日本经济产业省高达10亿美元（约人民币67.78亿元）的资金支持。在第二阶段规划中，高塔半导体将在现有的7号晶圆厂旁新建一座12英寸半导体制造设施。待相关协议落地后即可动工，新厂投用后将使硅光子与硅锗产能实现翻倍，进而推动下一代光连接技术的演进。

第一阶段的重点是提升12英寸硅光子器件产量，计划于2027年第四季度全面量产。具体措施包括对位于新潟县的原6号工厂进行升级改造，使其具备相应的器件生产与先进封装能力，并与富山县的7号工厂形成产能协同。基于上述扩产预期，高塔半导体调高了长期财务指标，力争在2028年达成36亿美元（约人民币244.01亿元）的营业收入以及12亿美元（约人民币81.34亿元）的净利润。

高塔半导体方面称，在日本本土布局先进的硅光子与硅锗制造产能，有助于提升当地半导体供应链的稳定性，并为区域产业发展带来长期效益。

注：按1美元≈6.78人民币计算