铠侠发布332层3D NAND，主攻AI数据中心

据Tom's Hardware报道，铠侠（Kioxia）携手合作伙伴SanDisk在2026年7月初宣布，已向AI数据中心等企业客户发送了最新一代第10代BiCS 3D TLC NAND的样品。同时，为了满足普通消费者的需求，双方推出了第9代BiCS产品，并计划将这两款芯片安排在不同的生产基地进行制造。

报道指出，第10代BiCS运用了332层有效层架构，主要面向对存储密度和性能要求苛刻的数据中心场景。此外，其存储密度预计将超过三星电子当前最新的V10级3D NAND。相较于前代产品，BiCS10精准聚焦于数据中心级存储市场，因为在这一领域，比特密度和整体性能往往比制造成本更具决定性。

在产能分配上，位于日本岩手县北上市的新建K2工厂（Fab 2）将承担332层BiCS10旗舰芯片的生产任务。由于该厂引进了业内领先的制造设备，非常适合生产双方密度最高的存储芯片。另一方面，三重县四日市老厂区将继续负责218层BiCS9的制造。得益于该厂区设备大部分已完成折旧，企业能够以更具优势的成本生产主流消费级产品，从而把北上工厂的先进产能全部留给尖端新品。