铠侠第十代NAND闪存出样，技术领先优势正缩小

据日经新闻报道，日本存储芯片企业铠侠推出的第十代NAND闪存虽然在与三星电子等同行的竞争中保持了一定的技术领先，但双方的差距正呈现收窄趋势。位于日本岩手县北上市的K2工厂目前已经启动了新一代NAND闪存的试产工作，并向客户发送了测试样品，大规模量产计划定于2027年落地。

根据官方公布的技术指标，这款新品专门优化了人工智能数据中心的处理性能，其数据传输速度达到4.8Gb/s，比上一代3.6Gb/s的水平提高了超过30%。同时，该芯片的存储密度增加了60%，读取操作时的能效也改善了约30%。铠侠方面透露，包括三星在内的韩国竞争对手预计将在2027年年中才能发布同等传输速率的产品。这意味着从样品出货的时间节点来看，铠侠目前大约领先同业一年左右。不过，在2023年下半年发布上一代产品时，该公司曾保持着两年的技术领先期，这表明其原有的技术壁垒正在被逐步削弱。

面对这一局面，铠侠计划依靠功耗控制和成本定价等综合手段来巩固市场地位。该公司认为，由于先进制程的制造门槛较高，竞争对手在提升成品率方面正面临不小的挑战。在7月3日K2工厂的媒体开放日上，社长太田裕雄表示，当前数据中心的需求依然强劲，并未出现衰退信号。同时，人工智能智能体（AI Agent）的崛起以及AI控制机器人等设备的普及，正在持续推高NAND闪存的需求量，公司将通过扩充产能来满足市场需要。他补充道，若市场增速超出预期，铠侠将果断上调资本开支预算。

追溯历史，NAND技术最初由铠侠的前身东芝公司研发。到2025年，该技术领域已孕育出规模高达10万亿日元（约合4201.31亿元人民币，或约620亿美元，折合4206.98亿元人民币）的庞大产业。近年来，韩国企业通过大规模资本投入占据了较高的市场份额，而铠侠受限于早期经营波动等历史原因，目前行业排名仅列第三。

据彭博社援引Omdia的调研数据显示，三星和SK海力士借助高带宽内存（HBM）业务拓宽了NAND产品的销售渠道。预计在2025年的数据中心NAND市场中，三星将占据40%的份额，SK海力士拿下30%，而铠侠的占比预计仅为10%。尽管如此，铠侠产品在数据处理速度上的显著优势，恰好契合了美国超大规模数据中心运营商的核心需求。然而，业界仍在密切关注其资金实力是否足以支撑后续的投资扩张，这将成为其提升业绩和扩大市场份额的决定性因素。

随着近期公司市值攀升至日本上市企业榜首，在6月25日举行的股东大会上，太田裕雄回应投资者关切时强调，作为NAND闪存技术的发明者，尽管目前市场份额未能领跑，但公司必将重新夺回行业第一的宝座。

注：按1日元≈0.04人民币、1美元≈6.79人民币计算。