英特尔新建掩膜版工厂动工，扩充先进制程产能

光刻掩膜版作为芯片制造的核心上游材料，在晶圆厂的光刻图形化工序中不可或缺。随着全球人工智能、汽车电子以及算力硬件等领域的需求不断释放，各类制程芯片的流片数量稳步攀升，直接带动了高精度掩膜版订单的同步增长。由于原有产线产能逐渐趋于饱和，为缓解中长期交付周期延长及产能紧张的行业现状，英特尔决定扩建相关产能。

6月30日，英特尔位于美国加州圣克拉拉市Bowers Campus园区的全新掩膜版配套设施正式破土动工。包括英特尔首席执行官陈立武、代工事业部总经理Naga Chandrasekaran及掩膜版业务总经理Frank Abboud在内的多位高管亲临现场，宣告该扩建项目正式启动。

此次动工的设施主要致力于半导体光刻掩膜版的研发与规模化生产。依托企业在该领域四十余年的运营经验，新工厂将大幅提升自有掩膜版的加工能力。长期以来，英特尔坚持自主建设掩膜版产线，并未完全依赖外部供应商，从而掌握了从成熟工艺到先进GAA节点的设计、制造与检测全套技术。据现场公开披露信息，新建厂房将引入最新一代的高精度掩膜版绘制、缺陷检测及修复设备，以满足先进逻辑芯片、功率器件和存储芯片等多元化工艺节点的制造要求。这不仅能够保障自身逻辑芯片的生产供给，还将为全球客户的先进制程芯片研发及大规模晶圆制造提供一站式配套服务。