SK海力士放缓HBM4产线转换，加码常规DRAM

据韩国存储行业消息，SK海力士近期调整了生产策略，减缓了第六代高带宽内存（HBM4）的产线切换速度，转而提升常规DRAM的供应能力。这一动向引起了市场的广泛讨论。业内分析认为，由于常规DRAM持续面临供应短缺，其价格不断攀升，导致短期内的利润率甚至超过了HBM产品。不过，从中长期来看，HBM的市场需求依然会保持在高位。

市调机构群智咨询表示，若按固定价格测算，到2026年第二季度，常规DDR的盈利能力确实有望超越HBM。因此，SK海力士等头部存储厂商在短期内重新评估HBM与常规DRAM的产能分配，属于行业内的普遍做法。该机构的数据还显示，2026年第二季度4GB LPDDR4X和12GB LPDDR5X的合约价格将分别环比增长75%和89%。同时，在云服务商不断补充库存的背景下，服务器用常规DRAM的渠道库存已降至仅够2至3周使用的水平。韩国KB证券也指出，当前客户端的存储需求满足率大约只有50%，并预测到2027年供应缺口可能会进一步扩大。

尽管常规DRAM利润丰厚，但主要存储厂商预计不会对整体生产战略进行大幅度修改。从中长期维度观察，2026年全球HBM需求量预计将比2025年大幅增长145%，优先保障HBM生产的基调不会发生改变，这也意味着对英伟达（NVIDIA）等AI芯片企业的HBM供应不会受到明显影响。

据业内人士透露，HBM的供应模式具有特殊性，通常需要提前与客户锁定供应量。即便当前常规DRAM的收益更好，厂商也很难轻易打破这种深度绑定的合作关系。此外，半导体制造的导入周期较长，与客户谈判的过程也十分耗时，这使得短期内大幅调整产能比例的空间非常有限。另外，各家厂商HBM4的大规模量产时间大多安排在2026年下半年，目前相关定价仍处于谈判阶段，因此还无法准确对比HBM4与常规DRAM的具体利润率。

值得关注的是，英伟达新一代AI加速器平台Vera Rubin的HBM成本问题。随着常规DRAM盈利能力的持续增强，存储厂商在HBM4的定价谈判中将掌握更多主动权。业界分析指出，Vera Rubin平台计划大规模采用HBM4，存储成本在该平台总成本中的占比已达到约25%。如果HBM4的定价因为常规DRAM的高收益基准而被推高，Vera Rubin的整体制造成本将面临显著压力，这可能会限制英伟达的出货灵活性，并进一步推高AI服务器的采购成本。

从存储企业的角度来看，随着单价更高的HBM4芯片在2026年下半年正式出货，其营收和利润水平都将得到进一步提升。即使常规DRAM产能有所增加，但随着长期合约占比的提高，价格波动将趋于平稳，厂商能够同时享受到常规存储产品涨价和HBM4产线切换带来的双重红利。

不过，HBM4的良率依然是三星电子、SK海力士和美光等巨头竞争的核心焦点。由于HBM4引入了逻辑芯片，并且具备更高的堆叠层数和I/O数量，其在良率控制和散热方面面临着更大的技术挑战。这不仅直接关系到HBM4的最终收益，也会影响厂商分配给常规DRAM生产的产能余量。