SK海力士清州厂区追加设备，加速HBM4封测布局

为了满足第六代高带宽存储器（HBM4）的市场需求，SK海力士正在其位于韩国清州的新建封装测试基地“P&T6”中，增加后道工序设备的引入。该基地的整合式后道工序产线已于2026年3月建设完毕，现阶段“P&T6”工厂已全面进入量产前的筹备期。

位于韩国清州的“P&T6”厂区曾名为M8厂，最初是SK海力士旗下8英寸晶圆代工子公司SK海力士系统IC的生产基地。在该产线转移至无锡之后，这座厂房曾一度处于闲置状态。由于厂房设施相对陈旧，若用于生产先进的动态随机存取存储器（DRAM）或NAND闪存会受到一定限制，SK海力士曾长期探讨该厂房的用途。然而，伴随HBM市场需求的急剧增长，公司最终将其改造为封装测试基地。此次“P&T6”进驻的设备主要服务于HBM4的生产，未来将重点承担新一代HBM4的封装与测试任务。

据韩国媒体The Bell报道，SK海力士正将后道工序设备搬入“P&T6”厂区。此前在2026年3月引入的设备，主要被用于搭建整合式后道工序产线，目前企业正利用这些设备进行量产能力和工艺稳定性的验证。随着相关验证工作接近尾声，SK海力士已经下达了后续的设备采购订单。“P&T6”所引入的设备涵盖了热压键合机（TCB）、回流焊设备以及多种计量仪器，其余封装环节所需的后道工序设备也将相继安装完毕。由于设备类型和供应商各不相同，进厂时间存在一定差异，但整体计划将在2026年6月至第三季度期间陆续完成设备的进场工作。据韩国半导体设备行业人士透露，相关设备订单已经生效，尽管各家供应商的排期有所不同，但设备预计将从2026年第三季度开始陆续进厂，“P&T6”最快能在2027年第一季度正式投入运营。

业内预计，“P&T6”基地将与DRAM生产基地M15X形成协同效应，通过直接使用周边厂区制造的DRAM来生产HBM，从而优化物流效率并缩短产品交付周期。作为SK海力士新建的DRAM生产中心，M15X计划在2026年下半年投产，初期月产能约为4万至5万片，到2027年有望逐步提升至每月8万片的规模。

另外，为了进一步扩充后道工序产能，SK海力士还在同步推进“P&T7”工厂的建设。该项目的总投资额高达19万亿韩元（约847.21亿元人民币）或128.6亿美元（约872.12亿元人民币），计划建设晶圆测试和晶圆级封装（WLP）产线。其中，晶圆测试产线预计在2027年10月完工，而WLP产线则定于2028年2月竣工。

注：按1韩元≈0.0045人民币、1美元≈6.78人民币计算。