三星联手Claros量产IVR，破解AI数据中心供电难题

三星电子的芯片代工业务正积极布局人工智能数据中心电源管理市场。据相关消息，美国电源管理解决方案初创企业Claros已与三星达成制造战略合作，计划依托三星美国工厂的14纳米FinFET工艺，大规模生产专为AI数据中心设计的下一代集成电压调节器（IVR）。

据韩媒ZDNet Korea报道，Claros将借助三星的芯片制造工艺，构建其核心产品IVR的量产体系。此次合作主要面向全球超大规模云服务商，旨在应对AI数据中心日益严峻的电力效率挑战。随着AI服务器功耗的急剧增加，供电架构、能量转换效率以及散热压力，已成为制约AI基础设施扩张的关键瓶颈。

Claros推出的IVR是一款高性能功率半导体器件。与传统的800V直流电数据中心架构相比，电能在传输和转换中极易产生损耗。而该技术能够在距离处理器单元仅数毫米的位置直接进行电压调节，从而显著提高供电效率，最高可使能源损耗减少30%。当前，AI数据中心的竞争不仅局限于GPU、高带宽内存和网络设备的供应，电力基础设施也正演变为核心制约因素。AI模型的训练和推理需要庞大的加速器集群，导致服务器功耗不断攀升。在处理器附近实施更高效的电源管理，有助于减少电力浪费，提升AI服务器的整体能效。

三星将利用其美国的14纳米FinFET工艺生产线来制造Claros的下一代IVR产品。三星美国芯片代工事业部副总裁Margaret Han指出，处理器级别的供电是当下AI基础设施面临的主要挑战之一。她对能够通过FinFET技术落地Claros的创新IVR方案表示期待，并希望该技术未来能从数据中心延伸至工业和汽车半导体领域。

此次合作也反映出三星代工业务正努力拓宽AI相关订单的来源。以往AI芯片代工主要聚焦于GPU、AI加速器及先进工艺，但随着数据中心架构日趋复杂，电源管理、网络传输、光通信、存储和散热控制等周边芯片的重要性日益凸显。14纳米FinFET工艺在性能、功耗、成本和成熟度上，非常契合部分高可靠性电源管理和数据中心应用。此外，三星通过美国工厂提供本土化制造能力，也有助于满足云客户对供应链韧性和分散地缘风险的需求。

Claros近期完成了3000万美元（约合人民币2.03亿元）的种子轮融资。公司将此次与三星的首个制造合作视为加速商业化的重要基石，计划利用IVR技术帮助AI加速器市场突破电力基础设施瓶颈，并进一步拓展至更广泛的高性能计算应用。获得Claros的订单，意味着三星有机会在AI数据中心供应链中，获取更多非传统逻辑芯片和高附加值功率半导体的商业机会。

注：按1美元≈6.77人民币计算