联发科新芯片弃用台积电封装，转投英特尔方案

据相关消息透露，在2026年6月2日举办的COMPUTEX 2026展会高盛投资者交流活动期间，联发科公布了其最新项目进展。其研发的一款新一代定制芯片已敲定封装技术路径，决定全面采用英特尔的EMIB-T先进封装工艺，从而不再使用台积电的CoWoS方案。同时，该芯片的研发时间表也已明确，预计将于2026年第四季度完成流片，并在2027年第四季度实现大规模量产。

业内信息显示，这款应用EMIB-T工艺的芯片主要面向云端定制化AI ASIC（专用集成电路）以及数据中心处理器市场。作为联发科在企业级算力领域的重点项目，其研发速度已超出此前分析机构的预期。据悉，此次封装方案的调整仅限于该特定新一代产品。联发科旗下的其他产品线依然维持与台积电在CoWoS封装方面的合作，以便根据客户的具体需求灵活选择不同的先进封装技术。

公开资料显示，促使联发科更改封装路线的主要原因在于人工智能芯片集成度的不断提升，以及企业级ASIC产品设计规格的持续升级。作为英特尔为了对标CoWoS而推出的核心工艺，EMIB-T属于升级版嵌入式硅桥先进封装技术。与台积电CoWoS依赖完整硅转接板（硅中介层）进行互连的架构不同，EMIB-T利用局部嵌入的微型硅桥来实现多个裸芯（裸片）之间的连接。该工艺的优势在于支持大尺寸封装集成，并能满足HBM（高带宽内存）的高速互连要求。自2025年以来，英特尔一直在推进该工艺的成品率提升与产能扩充。

高盛会议纪要内容提及，目前英特尔的EMIB-T技术已通过多次产品验证，量产良率稳步提高，正逐渐迈入商业化应用阶段。除了联发科，谷歌的下一代TPU系列芯片也计划引入这一封装技术。