普渡大学携手格棋半导体，共研碳化硅先进封装

据官方公告披露，美国普渡大学于5月28日正式确认，该校已同中国台湾格棋化合物半导体股份有限公司确立战略合作伙伴关系。双方将共同致力于碳化硅（SiC）先进封装技术的协同开发，以推动微电子前沿科技的产业化应用。此前一日，两家机构在普渡大学霍德厅正式签订了有效期达五年的谅解备忘录，标志着双方首次缔结合作纽带。

作为美国微电子领域的关键研究枢纽，普渡大学凭借伯克纳米技术中心以及Scifres纳米制造实验室，配备了国际领先的学术级洁净室和材料表征设备。而中国台湾的格棋半导体则是碳化硅技术领域的专业供应商，在晶体生长方面积累了十多年的深厚经验，主要致力于8英寸和12英寸碳化硅晶圆的研发与量产，拥有成熟的大规模制造实力。

据公告指出，随着人工智能算力需求的不断攀升，传统硅基材料的物理性能正逐渐触及天花板。因此，此次联手的核心目的，是利用碳化硅衬底技术来打破硬件层面的限制，重点解决下一代高性能计算设施在热管理、电力供应以及6G通信方面面临的三大瓶颈，从而加快碳化硅材料的商业化步伐。

在具体技术路线上，热管理环节将把碳化硅衬底与普渡大学的CoWOS及CoPoS微通道平台相结合，以达到优异的散热效果；在电力传输方面，则通过引入碳化硅高压直流输电和固态变压器方案，优化从电网到服务器的电能转换率；针对6G通信，该材料将为未来的核心通信设备提供坚实的性能保障。此外，双方的联合研发还将着重于优化材料生长工艺及控制晶体缺陷，力求将技术向高良率的8英寸和12英寸晶圆平台推进，促使学术界在材料特性和散热管理上的研究成果迅速转化为大规模商业生产力。