NOR闪存市场供需失衡，价格或暴涨30%-100%

近期，原本供需相对平稳的NOR闪存市场出现剧烈波动。据供应链消息，由于全球半导体资本开支过度集中于HBM、DDR5等AI相关高端产品，车用、工控、网络通信及消费电子所需的成熟制程产能被严重挤压，导致NOR闪存出现显著结构性缺口。预计到2026年第一季度，NOR闪存价格涨幅可能达到30%至100%。

作为全球NOR闪存领域的领导厂商，中国台湾半导体企业旺宏电子被认为将从中显著受益。其稳定的产能和多元化的应用布局受到机构投资者的青睐。尽管中国大陆厂商FJJH宣布扩产19纳米DRAM，但新建产线从无尘室建设到设备验证至少需要18至36个月，短期内难以缓解供需失衡问题。当前市场已进入“价高者得”的阶段，拥有成熟产线的中国台湾存储器厂商正迎来难得的盈利窗口。

在中国台湾存储器产业生态中，旺宏电子专注于NOR闪存，南亚科与华邦电主攻DRAM（后者也布局闪存），晶豪科、钰创等企业负责利基型内存设计，群联聚焦SSD控制芯片，力积电提供代工服务，南茂负责封测，至上则是关键通路商。整条产业链正因成熟产品涨价而集体受益。