内存价格暴涨500%，业内称产能缺口或被夸大

受人工智能需求激增影响，存储市场出现供需失衡，导致内存条售价在过去一年内攀升约500%，个别型号涨幅甚至逼近10倍。

面对显著的价格上扬，市场普遍预期存储芯片产能极度紧张。不过，据半导体业界匿名人士透露，实际的供应短缺情况或许被外界高估。

该消息人士指出，由于三星与SK海力士等头部企业顺利完成从1b到1c工艺节点的转换，晶圆位容量产出显著增加，有效弥补了先前的供应缺口。因此，此前关于2025年存在8%至9%产能短缺的预测并不准确，2026年的实际缺口预计仅为4%至5%。

在产能扩充方面，伴随美光及三星新建产线的陆续投产，2027年的供应缺口有望收窄至3%。进入2028年后，上半年或维持2%至3%的轻微短缺，但下半年市场将重归供需平衡，产品报价也将随之企稳。

客观而言，人工智能产业的蓬勃发展确实带动了高带宽内存（HBM）的产能消耗，但若市场存在极端短缺，相关AI投资项目的推进必将受到严重制约。针对产能缺口的具体规模，据彭博社等金融机构的调研数据显示，今年第二季度为供应最紧张阶段，缺口比例约为8%。该机构预测，次年市场需求将基本持平，缺口缩减至2%以内，至2028年则可能面临产能过剩局面。

综合多方信息来看，本轮存储产品价格上涨并非单纯由产能不足引发。目前，业内主要制造商仍对外释放供应紧张信号，并预计该状态或将延续至2030年以后。