英伟达GPU或采用12英寸碳化硅衬底

11月20日，有投资者在互动平台向天岳先进提问，询问关于“英伟达计划在新一代GPU芯片先进封装中采用12英寸碳化硅衬底，并预计最晚于2027年导入”的市场传闻。天岳先进对此表示已关注到相关信息，并作出回应。

据公司介绍，12英寸碳化硅作为中介层材料，不仅能显著提升封装结构的散热效率，还能在相同封装面积内实现更高的集成密度。在高算力GPU对功耗和带宽需求持续攀升的背景下，碳化硅材料凭借其高导热性能和优异的机械可靠性，有助于优化芯片工作温度和系统稳定性，为算力提升提供支持。

天岳先进进一步指出，借助12英寸碳化硅衬底，先进封装技术可进一步缩小整体封装尺寸，优化布线和堆叠结构设计，从而在保持或提升性能的同时，有望降低单位算力的封装成本。对于高端芯片而言，封装环节已成为影响系统性能、功耗和可靠性的关键因素，新型材料的导入对高性能计算平台的迭代升级至关重要。

在产品布局方面，天岳先进透露，目前已推出12英寸全系列衬底产品，涵盖半绝缘、导电P型及导电N型等多种类型，可满足不同终端和工艺路线需求。公司将根据下游客户在功率器件、高频器件及先进封装中介层等场景的应用需求，持续优化衬底材料的缺陷控制、导热性能与电学特性。