台积电CoPoS量产或提前，英伟达新GPU将采用

据摩根士丹利证券发布的报告显示，为应对英特尔EMIB-T技术的竞争压力，台积电的CoPoS封装技术量产时间有望提前至2028年。此举旨在满足采用2纳米及以下先进工艺的GPU或AI ASIC需求。

摩根士丹利大中华区半导体主管詹家鸿在最新发布的亚太科技产业报告中提到，CoPoS技术通过采用大面积重布线层（RDL），能够突破传统硅中介层的光掩膜尺寸限制，实现超大尺寸集成，这对需要集成多颗大型芯片的下一代AI系统具有显著吸引力。尽管该技术在尺寸扩展性和潜在成本方面具备优势，但其当前成熟度尚不及CoWoS，且互连密度相对较低。因此，它暂非追求极致带宽接口的首选方案，相关的生态系统与可制造性仍处于持续演进阶段。

据摩根士丹利调查显示，英伟达下一代Feynman架构GPU已确认将采用CoPoS架构。在具体规划上，2028年推出的第一代产品预计率先采用3D堆叠结合碳化硅（SiC）基板散热方案；而2029年的Feynman Ultra版本则将全面引入CoPoS技术。

在产能布局方面，台积电CoPoS的主要生产基地设在中国台湾台南AP7厂区。除了与日本基板大厂揖斐电（Ibiden）合作外，台积电还将携手群创光电。群创光电的中国台湾台南工厂将主要负责在玻璃面板上执行玻璃通孔（TGV）工艺，该工艺预计于2028年投产。据摩根士丹利科技产业分析师杨泓极透露，群创光电面临的主要技术挑战在于TGV成型及后续的镀铜工艺，这超出了常规显示面板的生产范畴，需为此采购全新的玻璃核心基板设备。此外，摩根士丹利科技产业分析师高燕禾表示，未来除揖斐电外，预计将有更多基板供应商加入玻璃核心基板的供应阵营。