杭州临安：爱矽科技园预计明年5月投用，打造第三代半导体产业集群

据杭州“临安发布”消息，爱矹科技园项目施工进度已完成40%，计划于今年年底前实现园区整体结顶，并争取在明年5月正式投入使用。该项目于2024年5月正式动工，定位为临安首个综合性集成电路产业园，涵盖芯片设计研发、先进封装测试以及功率器件封装测试等多元功能。

园区占地面积118亩，总建筑面积约20万平方米，包含9幢多层厂房、1幢高层车间和1幢办公楼。截至目前，已有3幢厂房主体结构完成封顶，其余6幢厂房施工进展顺利，已基本完成正负零施工。未来，爱矽科技园将成为爱矽科技的总部所在地，并配备第三代半导体研究院、多条先进生产线及相关配套设施，同时吸引多家半导体企业入驻，推动产业集聚。

图源：爱矽科技

据悉，园区除自用部分外，计划引入约15家企业，目前已成功签约8家。按照当前进展，预计到明年园区投用时，有望实现“开园即满园”的目标。

杭州作为长三角地区重要的科技创新中心，近年来在第三代半导体领域（以碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料为核心）积极布局。中欣晶圆与杭州资本合作建设的8英寸碳化硅外延片基地，年产能规划超过10万片，已进入多家车企验证阶段。富加镓业则成功突破6英寸氮化镓单晶衬底量产技术，良品率达到国际水平。此外，士兰微杭州子公司正建设12英寸特色工艺线，量产SiC MOSFET和GaN射频器件。总部位于杭州的瑞能半导体也开发了支持800V高压平台的SiC复合封装模块。