华为麒麟9000S芯片之后，国产EUV光刻机，火烧眉毛了

最近最火的芯片是什么？在国内我认为绝对是华为Mate60上面的那一颗麒麟9000S。

虽然这颗芯片工艺未知，代工厂未知，5G未知，生产时间未知，但一直是大家关注的重点，连海外媒体都去拆解，反封装。

按照绝大部分媒体的电扫描结果，这颗芯片等同于7nm工艺，甚至从晶体管密度来看，还比台积电、三星的7nm工艺强一点点。

这也意味着国内的芯片制造工艺，真的达到了7nm水平了。

而当国内的芯片工艺，达到7nm水平后，什么问题来了？我觉得EUV光刻机，真的是要突破了，已经是火烧眉毛了。

我们知道，在目前的芯片流程之下，进入到5nm，必须要用到EUV光刻机，使用浸润式光刻机，多重曝光之后，最多也就达到7nm，这是DUV光刻机的极限，毕竟波长是193nm，经过水的折射，等效134nm后，也最多达到7nm。

以前国内对外公开的技术是14nm，所以总让人觉得离5nm还很远，毕竟中间还隔了10nm、7nm，相当于还有三代，这三代研发，至少得好几年。

所以有没有EUV光刻机，其实并没有那么急切，毕竟还用不着嘛。

但如今，我们发现，其实我们已经拥有了7nm芯片的制造技术，那么接下来，就要直接进入5nm了，就急需EUV光刻机了。

所以这时候，EUV光刻机就真是火烧眉毛了，因为它会是我们进入5nm工艺时最大瓶颈了。

不过近日，也传出好一些不知真假的好消息，说国内有了突破，用集群式的方式，实现了最新的EUV光刻机的突破方案。

我们与ASML的小型化EUV光刻机截然不同，而是直接用一台大的加速器光源，用分光器来带动几十台光刻机，实现集群式。

当然，真假未知，但可以肯定的是，目前国内在EUV光刻机上面一直在想办法突破，不同的方案在前进，突破也许就在明天，也许就在后天，而一旦突破，那么美国想从芯片设备上卡脖子，就彻底失效了。

并且，一旦国产EUV突破，全球的芯片格局都会改写，美国估计再也保持不住老大的位置了，而台积电也难以保住代工老大的位置。

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