英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls

集微网消息，6月15日，英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit），该芯片是英特尔迄今为止研发的最先进的硅自旋量子比特芯片。

据英特尔透露，Tunnel Falls基于300毫米硅晶圆制造，采用了EUV以及栅极和接触层加工技术等先进工艺。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上/下）中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS逻辑生产线类似的流程来制造。硅自旋量子比特的大小与一个晶体管相似，约为50x50nm，比其它类型的量子比特小100万倍，并有望更快实现量产。

同时，利用先进的CMOS生产线，英特尔可以通过其创新的制程控制技术提高良率和性能。该公司表示目前Tunnel Falls的良率达到了95%，实现了与CMOS逻辑制程接近的电压均匀性。此外，英特尔可在每块晶圆上实现超过24000个量子点。Tunnel Falls能够形成可被相互隔离或同时操控的4到12个量子比特。

下一步，英特尔将继续致力于提高Tunnel Falls的性能，并将其和英特尔量子软件开发工具包（SDK）整合在一起，集成到英特尔的量子计算堆栈中。此外，基于制造Tunnel Falls的经验，英特尔已经开始研发下一代量子芯片，预计将于2024年推出。

（校对/杨晨曦）