SK海力士为应对日益增长的高带宽存储器（HBM）需求，计划在韩国龙仁半导体产业园区建设首座半导体制造厂（fab），并发布招聘公告招募相关人才。
据韩媒报道，招聘领域涵盖施工、项目管理、安全管理等，入职人员将根据项目分配到韩国各地。预计大部分人员将以龙仁为中心部署。
SK海力士规划在龙仁建造4座最先进fab，其中首座预计于2025年3月开工，2027年5月竣工，投资规模达9.4万亿韩元。
同时，SK海力士正在清州建设HBM专用厂“M15X”，目标2025年底竣工。龙仁1号厂则计划于2027年第2季量产HBM与下一代DRAM产品。
此外，SK海力士还发布了公司内部职业发展计划（CGP）公告，将调动人员并招募HBM设计、先进封装开发、AI基础设施、客户品质管理等领域人才。
此举旨在巩固SK海力士在HBM市场的领先地位，并拉大与竞争对手的差距。
