SK海力士在半导体技术研发上取得了重大进展。其第六代12层堆叠高带宽内存（HBM4）的测试良率已成功突破70%，这一成就为产品的量产奠定了坚实基础。

据悉，SK海力士的HBM4项目进展迅速，自2024年年底良率达到60%以来，经过不断努力，现已成功提升至70%。这一成绩展现了SK海力士在技术研发和生产方面的强大实力。

SK海力士HBM4的快速发展，离不开其第五代10nm级DRAM（1b）技术的成功应用。该技术在性能和稳定性方面已经过充分验证，并成功应用于HBM3e产品中。业内人士预测，HBM4的12层堆叠产品也将迅速进入量产阶段。

目前，SK海力士已完成HBM4的内部技术开发和评估工作，并即将提供样品供客户进行性能测试。一旦测试通过，SK海力士将立即启动量产计划，以满足市场对高性能内存产品的迫切需求。

此外，SK海力士的HBM4产品有望被部署在英伟达下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。英伟达计划提前至2025年下半年量产该系列，这将促使SK海力士进一步加快HBM4的良率和量产进程。