据韩国朝鲜日报报道，三星电子的DS部门存储器业务部最近完成了HBM4高带宽存储逻辑芯片的设计。与此同时，三星的Foundry业务部已经开始使用4纳米制程进行试生产。在完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星将提供HBM4样品供客户验证。

逻辑芯片，也称为基础裸片，在HBM堆叠中发挥着“大脑”的作用，负责控制上方多层DRAM芯片的运行。在HBM4这一代中，存储器堆叠的I/O引脚数量翻倍，需要整合更多的功能。因此，全球三大内存制造商均采用逻辑半导体代工制造逻辑芯片。

报道中提到，发热是HBM在执行工作时的最大敌人，而在整个堆栈中，逻辑芯片是主要的发热源。采用先进的4纳米制程有助于改善HBM4的能效和性能表现。三星在HBM4的开发上采取了更为积极的路线，以期挽回在HBM3E时代流失的市场份额。

除了使用自家的4纳米制程制造逻辑芯片外，HBM4还引入了10纳米级的1c制程来生产DRAM，有望实现16层堆叠，并采用无凸块混合键合技术。这些技术的结合将使HBM4在性能和能效方面都有显著提升，进一步巩固三星在高带宽存储市场的领先地位。