据报道，三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计，Foundry业务部也已根据该设计采用4nm工艺进行试产，待逻辑芯片最终性能验证完成后，三星将提供HBM4样品验证。这一进展标志着三星在高带宽存储器（HBM）技术领域再次取得重要突破。

逻辑芯片即Logic die（又名Base die），在HBM堆叠中发挥着“大脑”作用，负责控制上方多层DRAM芯片.由于运行时发热是HBM的最大敌人，而逻辑芯片更是发热大户，采用先进的4nm制程工艺有助于显著改善HBM4的能效与性能表现.除自家4nm制造逻辑芯片外，HBM4还导入10nm制程生产DRAM，进一步提升了整体性能。

自HBM产品问世以来，HBM技术已经发展至第六代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3的扩展版本）以及HBM4，每一代都在带宽、容量和能效等关键指标上实现了显著突破。

从业界数据来看，HBM4标准支持2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率，相比HBM3E，HBM4的单个堆栈带宽已达到1.6TB/s，极大地提升了内存系统的数据吞吐能力，能够更高效地满足人工智能、深度学习、大数据处理和高性能计算等领域对内存性能日益苛刻的需求。

HBM供应商在各代产品中往往会推出不同堆栈层数的产品，如HBM3e的8hi（8层）及12hi（12层），而HBM4世代则规划了12hi及16hi。

去年11月，三星电子存储部门执行副总裁Jaejune Kim在第三季度财报公布后的电话会议上表示，2024年三季度HBM总销售额环比增长超过70%，HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E的销售占比已上升至HBM总销售额的10%左右，预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。三星的HBM4开发工作正在按计划进行，目标是在2025年下半年开始量产。