SK海力士已按计划准备量产16层HBM3E，该技术也将应用于未来的HBM4。据韩媒报道，SK海力士已引进新制程设备，调整生产线，主要制程测试结果良好。预计2025年上半年量产，效能较12层产品提升显著。

SK海力士社长在「SK AI Summit 2024」宣布，正在研发48GB 16层HBM3E，采用Advanced MR-MUF技术。

同时，SK海力士也在积极研发HBM4，计划于2024年第4季度完成设计定案，维持使用Advanced MR-MUF技术，确保生产稳定性和良率。

三星电子虽然尚未通过NVIDIA HBM3E认证，但计划于2025年下半年量产HBM4，采用堆叠10纳米级1c DRAM，期望快速提高效能。为此，三星已开始投资，计划在韩国平泽P4工厂设置量产产线。

随着智能手机、PC等产品的通用DRAM成长趋缓，HBM市场持续增长，成为存储器产业的新焦点。

存储器产业正以人工智能市场为中心重组，SK海力士和三星电子谁能抢占新一代技术，将直接影响未来竞争力。