SK海力士正在大力推进新一代高带宽存储产品HBM3E的量产工作，为AI市场的快速增长做好准备。据悉，公司已开始导入和测试新工艺设备，同时对现有设备进行优化升级，以确保16层HBM3E产品顺利推出。

该公司计划在明年年初向客户提供样品，并在上半年实现批量供货。HBM产品凭借堆叠DRAM技术显著提升性能，尤其在大型语言模型（LLM）的训练与推理环节表现优异。新款16层HBM3E相比此前的12层版本，在LLM训练方面提升18%，推理性能更是增长32%。

面对AI市场对高性能计算需求的飙升，SK海力士正积极满足NVIDIA等客户对AI加速器的快速开发需求。业内分析认为，这款HBM3E产品有望搭载在NVIDIA下一代AI加速器“Blackwell”的升级版本中，进一步推动AI技术革新。

财报数据显示，HBM产品已占据SK海力士DRAM总销售额的30%，预计第四季度将突破40%。未来，12层HBM3E出货量将在明年初占据主导地位。

展望未来，SK海力士计划在2025年下半年供应HBM4，并于2028至2030年推出HBM5，持续保持技术领先优势。同时，博通也计划采购SK海力士HBM产品，助力全球科技巨头在AI领域的竞争布局。