SK海力士CEO郭鲁正在韩国首尔的SK AI Summit 2024上宣布了全球首款16-High HBM3E内存，该产品具备48GB的单堆栈容量，并预计将于明年初提供样品。

尽管业界普遍认为16层堆叠HBM内存要到HBM4时代才会商用，但SK海力士的HBM3E已经展现出扩展到16层的潜力。

SK海力士的16-High HBM3E内存在AI训练性能上比上一代12-High产品提高了18%，推理性能提升了32%。这款内存采用了先进的MR-MUF（批量回流模制底部填充）键合技术，并且SK海力士还在开发性能更优秀的混合键合技术。

在DRAM内存领域，SK海力士除了16-High HBM3E外，还在开发基于1c nm LPDDR5和LPDDR6的LPCAMM2，这些内存产品将面向PC和数据中心市场。

在NAND闪存领域，SK海力士准备了PCIe 6.0固态硬盘、基于QLC的大容量企业级固态硬盘以及下一代UFS 5.0闪存，显示了公司在存储技术领域的全面布局和创新能力。