韩国存储器制造商SK海力士宣布，将于2025年初提供其第五代高带宽内存（HBM）产品——HBM3E 16H的样品。在SK集团的新闻发布会上，CEO Kwak Noh-jung透露，HBM3E 16H将采用16个DRAM芯片的堆叠设计，并继续使用SK海力士开发的大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）封装技术，同时公司还在开发混合键合工艺作为备用方案。
MR-MUF技术通过填充DRAM芯片间的间隙，增强了产品的可靠性和性能。Kwak Noh-jung还提到，SK海力士计划推出12层和16层堆栈的第六代HBM——HBM4，作为其主要产品线的一部分。
在性能上，HBM3E 16H相较于前代12H版本，学习能力提升了18%，推理能力提高了32%，并将提供高达48GB的容量。SK海力士还在积极开发基于1c纳米工艺节点的LPDDR5和LPDDR6内存，以及LPCAMM2技术。
在NAND闪存领域，SK海力士正准备推出基于四级单元的PCIe 6固态驱动器、嵌入式SSD以及最新的UFS 5.0（JEDEC闪存标准）。这些创新举措显示了SK海力士在高性能存储技术方面的持续领先地位，并致力于为客户提供更高效、更可靠的存储解决方案。
