SK海力士加速技术创新:16层48GB HBM3E芯片明年初送样
来源:ictimes 发布时间:2024-11-05 分享至微信
SK海力士继续引领高带宽内存(HBM)技术创新,其将在明年初送出16层48GB HBM3E样品,进一步巩固与NVIDIA等大客户的合作关系。此次16层版本相比现有的12层产品,在大型语言模型(LLM)学习和推理方面展现出更强性能,前者在LLM学习性能上提升了18%,推理性能提高了32%。
从最新的财报来看,HBM芯片在SK海力士整体DRAM销售中占比迅速提升,第三季度已经达到30%,预计第四季度将进一步接近40%。随着HBM3E出货量大幅增加,12层HBM3E产品在第四季度已按计划开始出货,并预计明年第一季度将占据总出货量的一半以上。SK海力士的这一增长不仅彰显了其技术的领先优势,也反映出市场对高性能内存的强烈需求。
此外,SK海力士在16层48GB HBM3E芯片的封装上采用了先进的MR-MUF技术,该技术已在12层产品中获得验证,具有成熟的量产能力。同时,作为技术储备,SK海力士正在开发混合键合技术,为未来的发展做好准备。
SK海力士的未来目标也非常明确:计划在2025年下半年推出HBM4芯片,并在2028年至2030年间发布HBM5系列。这一宏大布局表明,SK海力士不仅在产品性能上持续突破,也在抢占未来市场份额。
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