在生成式AI风潮的推动下，高带宽存储器（HBM）市场竞争日益激烈。美国芯片制造商美光（Micron），在政府的大力支持下，正加速推进其HBM3E的研发与量产进度，有望在这一领域超越韩国两大DRAM巨头三星电子与SK海力士。

美光得益于美国政府的资金支持，缓解了其在本土晶圆厂HBM产能扩建上的资本支出压力。根据《芯片与科学法案》，美光获得了高达61.4亿美元的直接拨款，用于支持其在纽约州和爱达荷州的DRAM超级晶圆厂建设。

美光在HBM技术上的发展策略颇为明智，选择跳过HBM2和HBM3，直接研发HBM3E，以缩小与竞争对手的差距。

2023年7月，美光发布了第二代改良版HBM3，并于次年2月开始量产HBM3E，率先将其应用在NVIDIA的H200芯片上。尽管与SK海力士在客户层面上仍有差距，但美光在HBM3E的进度上已快于三星。

值得一提的是，美光在2024年9月正式推出了12层堆叠的HBM3E存储器，具有36GB容量，专为AI和高效运算（HPC）工作负载的尖端处理器设计。这一新产品的推出，进一步彰显了美光在HBM技术上的实力与决心。

此外，美光作为全球DRAM产业的主要美企，更容易获得NVIDIA、超微（AMD）和英特尔（Intel）等美系厂商的合作助力。