三星HBM3E供应挑战:2024年无缘英伟达
来源:ictimes 发布时间:2024-12-14 分享至微信

在存储器市场,韩国巨头三星一直试图在高端GPU巨头英伟达的供应链中占据一席之地,为其供应HBM3E高频宽存储器。然而,近日传出的消息却给三星的这一计划泼了一盆冷水——三星的HBM3E产品尚未通过英伟达的认证,2024年供应英伟达HBM3E的计划几乎无望实现。


据外媒wccftech报道,三星在英伟达供应链中的尝试遭遇了挫折,其主要原因便是HBM3E产品未能通过英伟达的严格测试和HBM标准。尽管三星在近期对投资者的报告中仍对未来通过认证的前景表示乐观,但韩国媒体Daily Korean的最新报道却指出,三星在2024年向英伟达供应HBM3E的计划已经几乎不可能实现,而2025年的情况则相对较为乐观。


这一消息无疑给三星在HBM市场的竞争带来了巨大压力。目前,其主要竞争对手SK海力士已经在市场上推出了相关产品,并凭借先进的制程技术,如MR-MUF等,设定了较高的门槛,使得三星难以获得英伟达的认证和订单。这也意味着,在HBM市场的竞争中,SK海力士将继续保持领先地位,而三星则面临着被边缘化的风险。


不仅如此,三星在NAND Flash领域也面临着类似的困境。SK海力士已经成为全球首家量产321层堆叠解决方案的制造商,而三星预计最快要到2025年上半年末才能推出领先的400层堆叠NAND Flash。这一差距进一步削弱了三星在存储器市场的领先地位。


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