三星电子计划于2026年推出堆叠层数超过400层的BV（Bonding Vertical）NAND Flash，旨在强化技术竞争力，以在企业用固态硬盘（eSSD）市场取得突破。目前，三星NAND产品最高堆叠至286层。

据韩媒报道，三星预计于2026年推出第十代3D NAND（V10），堆叠层数超过400层，2027年推出V11。三星将采用接合技术，先堆叠单元后接合外围电路，以提高效能和稳定性。

SK海力士正开发400层以上NAND制程技术，目标2025年底前备好量产技术。双方将在该领域展开激烈竞争。

此外，三星在DRAM领域也有新计划，包括2025年上半年公开用于HBM4的10纳米级第六代DRAM（1c DRAM），2026年公开10纳米第七代DRAM（1d DRAM），以及2027年发表不到10纳米的0a DRAM产品。

三星还计划加速AI相关产品研发，如低电力运算的服务器用LP-PIM（Low Power-Processing In Memory）。随着AI时代到来，储存并处理大容量数据的半导体需求持续增加，三星将强化根本技术竞争力，以应对市场需求。