据韩媒最新报道，三星电子已在其半导体研究所成功研发出400层NAND技术，并已开始将这一先进技术导入到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。

就在上个月，SK海力士刚刚宣布开始量产321层NAND闪存，而三星电子此次的400层技术无疑将NAND闪存的堆叠层数推向了一个新的高度。

据透露，三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量的400层TLC NAND，并预计将于明年下半年开始量产。然而，业界普遍认为，如果三星电子能够加快进程，这一新技术的量产时间可能会提前到第二季度末。

除了400层NAND技术外，三星电子还计划在未来增加其先进产品线的产量。具体来说，三星将在平泽园区安装新的第9代（290层）生产设施，月产能将达到30,000至40,000片晶圆。同时，在中国西安工厂，三星将继续进行产线转换，将128层（V6）NAND生产线升级为236层（V8）工艺。