三星电子在其最新的存储芯片发展路线图中披露,公司计划在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND,旨在提升容量和性能。
三星将采用新型键合技术,分别在不同晶圆上创建单元和外围设备后进行键合,以实现大存储容量和出色的散热性能,特别适用于AI数据中心的超高容量SSD。这种新型芯片被称为Bonding Vertical NAND Flash(BV NAND),其单位面积的位密度将提高1.6倍。
三星还计划在2027年推出V11 NAND,进一步提升堆叠技术,使数据输入和输出速度提高50%。公司的目标是到2030年开发超过1000层的NAND芯片,以实现更高的密度和存储能力。
与此同时,SK海力士也在研发400层NAND Flash,并计划在明年年底实现大规模生产,预计2026年上半年全面量产。铠侠则表示,按照每年1.33倍的增长率,到2027年3D NAND层数可达到1000层,NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²。
随着存储原厂NAND制程的迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。三星、SK海力士、铠侠及西部数据等公司均在推动高密度NAND技术的发展,以满足日益增长的存储需求,特别是在AI和大数据领域。
三星的236层V8 TLC NAND产能增长迅速,290层V9 TLC/QLC NAND也开始量产。SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用,并推出321层NAND Flash。铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND在OEM厂商的导入,2Tb QLC NAND已开始送样。美光则量产276层G9 TLC NAND,并已在面向客户端OEM的SSD中采用。这些进展表明,高密度NAND技术正成为推动存储行业发展的关键力量。
暂无评论哦,快来评论一下吧!