三星电子在其最新的存储芯片发展路线图中披露，公司计划在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND，旨在提升容量和性能。

三星将采用新型键合技术，分别在不同晶圆上创建单元和外围设备后进行键合，以实现大存储容量和出色的散热性能，特别适用于AI数据中心的超高容量SSD。这种新型芯片被称为Bonding Vertical NAND Flash（BV NAND），其单位面积的位密度将提高1.6倍。

三星还计划在2027年推出V11 NAND，进一步提升堆叠技术，使数据输入和输出速度提高50%。公司的目标是到2030年开发超过1000层的NAND芯片，以实现更高的密度和存储能力。

与此同时，SK海力士也在研发400层NAND Flash，并计划在明年年底实现大规模生产，预计2026年上半年全面量产。铠侠则表示，按照每年1.33倍的增长率，到2027年3D NAND层数可达到1000层，NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²。

随着存储原厂NAND制程的迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。三星、SK海力士、铠侠及西部数据等公司均在推动高密度NAND技术的发展，以满足日益增长的存储需求，特别是在AI和大数据领域。

三星的236层V8 TLC NAND产能增长迅速，290层V9 TLC/QLC NAND也开始量产。SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用，并推出321层NAND Flash。铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND在OEM厂商的导入，2Tb QLC NAND已开始送样。美光则量产276层G9 TLC NAND，并已在面向客户端OEM的SSD中采用。这些进展表明，高密度NAND技术正成为推动存储行业发展的关键力量。