据最新消息，三星计划在2026年前推出具有划时代意义的400层V-NAND闪存芯片，预示着AI服务器市场将迎来新的存储解决方案。

三星目前正批量生产286层V9 NAND闪存芯片，但并未止步于此。面对AI热潮带来的存储设备市场需求激增，三星决定迈出更大的一步——开发400层V10 NAND。这一过程中，三星将采用创新的键合技术，将存储单元和外围设备分别在不同晶圆上创建，再进行键合，从而突破堆叠层数的限制，实现“超高”NAND堆叠。

据三星介绍，这种被称为键合垂直NAND闪存（BV NAND）的新技术，将大幅提升单位面积的比特密度，达到1.6倍的提升，同时拥有出色的散热性能。这使得BV NAND成为AI数据中心使用的超大容量固态硬盘（SSD）的理想选择，能够满足AI推理过程中对大容量存储设备的迫切需求。

三星不仅着眼于当前的技术突破，还对未来有着清晰的规划。据悉，三星计划在2027年推出V11 NAND，进一步将数据输入和输出速度提高50%，继续推动堆叠技术的发展。此外，三星还计划推出SSD订购服务，旨在帮助科技公司降低AI半导体投资的高成本。

在DRAM领域，三星同样不甘落后。为了加强其领导地位，三星计划最早于2024年底推出第六代和第七代10nm DRAM，用于HBM4等先进的AI芯片。同时，三星还在加速开发HBM以外的AI专用存储产品，如低功耗内存处理（LP-PIM），以满足AI领域的多样化需求。