三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术的开发，并已开始将这项技术转移到平泽P1厂的量产线，标志着三星在全球NAND闪存技术竞争中迈出重要一步。

三星计划在2025年2月的ISSCC上提供1Tb容量400层三级单元（TLC）NAND的详细公告，预计明年下半年开始量产。三星将增加先进产品线的产量，包括在平泽园区安装新的第9代（286层）生产设施，以及将西安工厂的128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）产品工艺。

400层NAND技术的开发代表了从传统2D NAND到3D NAND的重大飞跃，通过垂直堆叠存储单元提高存储密度和效率。三星引入的“三重堆叠”技术，将存储单元堆叠成三层，是该领域的一大进步。

三星电子目前在全球NAND闪存市场占有36.9%的市场份额。面对SK海力士等行业对手的竞争，三星正努力保持其领导地位。SK海力士已宣布量产321层NAND，加剧了市场竞争。

NAND闪存市场受消费者需求、价格趋势以及AI和数据中心等数据密集型应用的影响。全球AI热潮推动了数据中心用NAND的销量增长。尽管如此，128Gb多层单元（MLC）产品的固定交易价格在11月份下降29.8%，平均价格为2.16美元。TrendForce预测，尽管今年第四季度NAND价格预计将下跌3%~8%，但企业级固态硬盘（SSD）价格预计将上涨高达5%。

在准备大规模生产400层NAND的同时，三星也在优化晶圆良率，目前研发阶段的良率仅为10%~20%。成功将该技术转移到生产线对于实现更高良率和满足市场需求至关重要。