半导体巨头德州仪器（TI）近日宣布，其位于日本会津的工厂已正式投产基于氮化镓（GaN）的功率半导体，加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂，GaN功率半导体产能实现了四倍增长，标志着公司在高性能半导体材料领域迈出了重要一步。

德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示，公司已成功认证了8英寸（200mm）氮化镓技术，并开始在会津工厂进行大规模生产。他进一步指出，到2030年，德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上，这将为公司整个氮化镓半导体产品组合的供应提供有力保障。

氮化镓作为一种新兴的半导体材料，相较于传统的硅材料，具有能效高、开关速度快、体积小、重量轻、系统成本低以及高温高压条件下性能稳定等显著优势。GaN芯片能够提供更高的功率密度，或在更小的空间内提供功率，这使得它在消费电子、工业、数据中心电源和太阳能逆变器等领域得到了广泛应用。

近年来，随着消费电子市场的持续发展以及服务器、AI、工业、太阳能等产业的快速崛起，氮化镓功率芯片的需求呈现出爆发式增长。特别是数据中心领域，如果全球采用硅芯片器件的数据中心都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那么全球的数据中心将能够减少30-40%的能源浪费，相当于节省了100兆瓦时太阳能和1.25亿吨二氧化碳排放量。