德州仪器（TI）近期宣布，基于氮化镓（GaN）技术的功率半导体产品已在日本会津工厂正式投产。此次投产标志着公司在GaN半导体自有制造能力上实现了前所未有的四倍增长。

德州仪器的副总裁Mohammad Yunus指出，凭借数十年的GaN芯片设计和制造经验，TI已经成功验证其8英寸GaN技术，并开始大规模生产。到2030年，公司自有的GaN制造能力预计将达到95%以上。这将为TI提供强大的市场竞争力，使其能够稳定供货高功率、高能效的GaN半导体产品。

GaN作为硅的替代材料，具有显著的优势，尤其是在能源效率和功率密度方面。它的小型化和高效能特性使其在笔记本电脑、智能手机等便携设备及家用电器中应用广泛。德州仪器的高压电源副总裁Kannan Soundarapandian强调，GaN技术能够满足市场对创新和高效能的需求，尤其是在服务器电源和可再生能源系统中。

此外，TI的GaN芯片还采用了先进的硅基氮化镓工艺，经过严苛的可靠性测试，确保了高压系统的安全性。随着新产能的上线，TI还计划将GaN芯片的应用范围扩展至更高的电压水平，助力未来的机器人技术和可再生能源解决方案的创新。

德州仪器在扩大GaN生产的同时，也承诺将于2027年实现美国业务全面使用可再生电力，并在2030年实现全球业务的同一目标。