德州仪器（TI）宣布其日本会津工厂已开始生产氮化镓（GaN）功率半导体，这一举措使得TI的GaN功率半导体自有产能提升至四倍。加上德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI将能够提供更广泛的整合式GaN功率半导体产品，满足从低电压到高电压的需求，实现节能、高功率密度的电子产品。
TI的技术与制造资深副总裁Mohammad Yunus表示，公司已成功验证8吋GaN技术，并在会津展开量产。这一里程碑不仅增加了GaN晶片的自有产能，还确保了产品组合的可靠供应，并计划在2030年前将内部制造的比率提升至95%以上。
GaN作为一种半导体材料，相较于硅可提供更多优势，包括节能、快速开关、更小的电源解决方案尺寸、更低的整体系统成本，以及在高温高压条件下的优良性能。TI的GaN晶片能够提供更高的功率密度，适用于笔记本电脑或智能手机的电源转接器，以及更小、更节能的加热和空调系统。
TI的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian指出，GaN技术使TI能更高效地在有限空间内提供功率，满足市场对高效功率解决方案的需求。TI的整合式GaN功率级产品组合让客户实现更高的功率密度、提升易用性，并降低系统成本。
新产能采用了市面上最先进的设备制造GaN晶片，提升了产品性能与制程效率，同时提供了成本优势。TI的GaN制程技术可完全转换至12吋晶圆上，让其能根据客户需求进行调整，并在未来移转至通过12吋技术进行生产。这一扩大投资包括了TI在12吋晶圆上成功进行GaN制造的试行作业，展现了TI在GaN技术领域的领先地位和对未来发展的承诺。
