德州仪器（TI）近日宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产氮化镓（GaN）功率半导体。加上位于德州达拉斯的现有产线，TI的GaN功率半导体自有产能将增加至4倍之多。

TI技术与制造资深副总裁Mohammad Yunus表示，8寸GaN技术已在会津厂成功验证并实现量产，这是目前最具成本竞争力的GaN制造技术。TI正朝着2030年前将内部制造比率提升至95%以上的目标迈进。

此外，TI还在2024年成功进行了12寸晶圆上的GaN制造试行作业，这意味着TI的GaN制程技术可以完全转换至12寸晶圆上，以满足客户的多样化需求。