镓仁半导体近日宣布其氧化镓二期工厂正式启用，新工厂引入了先进的产业化设备，将在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。

镓仁半导体在二期工厂中自主研发并销售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉已投入使用，并对工艺进行持续优化。公司成立于2022年9月，位于杭州市萧山区机器人小镇，专注于宽禁带半导体材料（氧化镓等第四代半导体）的研发、生产和销售。产品包括不同尺寸、晶向和电阻率的氧化镓抛光片，以及可定制的氧化镓籽晶等，主要应用于国家电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信等领域的电力电子器件。

业务进展方面，镓仁半导体在氧化镓技术方面持续取得突破。今年4月，公司推出了2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。7月，公司成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。9月上旬，镓仁半导体宣布成功研制超薄6英寸氧化镓衬底，衬底厚度小于200微米。