三星电子正加速推进12层HBM4的开发，力争在2024年6月之前实现量产，意在重新夺回在HBM3和HBM3E市场中失去的份额。业内分析认为，这一举措是为了在SK海力士之前完成量产，以增强市场竞争力。
预计三星将在今年第四季度开始HBM4的流片工作，并计划于明年初推出测试产品。产品运行验证后，三星还将进行相应的设计和工艺改进，以确保量产顺利进行。
为了实现这一目标，三星计划采用1c DRAM作为HBM4的核心芯片，并通过先进的4nm工艺进行逻辑芯片的代工。这意味着，三星必须在1c DRAM的量产良率上取得显著提升，才能确保HBM4的内部量产进度。
令人振奋的是，三星电子在1c DRAM的开发中首次获得了“好芯片”，标志着其产品性能的进步，内部反馈也传递出积极的信息，显示出对未来前景的信心。
与此同时，SK海力士也在积极布局，计划在明年下半年量产12层HBM4，核心芯片将采用1b DRAM，并使用台积电的5nm和12nm工艺。这一新型芯片将为NVIDIA和AMD即将推出的AI加速器提供支持。
