在最近举行的SPIE大会上，ASML新任CEO傅恪礼（Christophe Fouquet）展示了High NA EUV光刻机的最新进展。这种新型光刻机预计将售价高达4亿欧元，约合人民币31亿元。与最初的EUV光刻机相比，High NA EUV光刻机不太可能出现延迟，它更像是EUV光刻机的升级版。

傅恪礼介绍了ASML的新型组装方法，即直接在客户现场组装扫描仪子组件，这将节省时间和成本，加快High NA EUV光刻机的推出。此外，未来High NA EUV光刻机可以与常规EUV光刻设备共享镜头组件，提高了灵活性和成本效益。

英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips透露，英特尔在波特兰工厂已成功安装了两台High NA系统。这些系统的安装图像展示了High NA EUV相对于标准EUV的改进，性能可能比预期更好。

此外，High NA EUV光刻机采用大尺寸掩模将“不费吹灰之力”，这对ASML来说意义重大，因为它有助于克服芯片尺寸限制，带来约40%的性能提升。

尽管High NA EUV光刻机的运输过程中遇到了一些小问题，如拖车在极端重量负荷下弯曲，但整体安装进展顺利，这对英特尔来说是执行计划所需的“胜利”。

市场预测显示，尽管台积电对High NA EUV光刻机的接受速度较慢，但如果英特尔在High NA设备方面取得领先地位，台积电将不得不跟进。

此次SPIE大会上的讨论和展示表明，High NA EUV光刻机的推出和摩尔定律的技术进步对整个半导体行业都是利好消息，尤其是对英特尔和ASML来说。这对ASML的股价也是积极影响，因为市场一直对其股价持不稳定态度。

随着半导体行业不断追求更高的性能和更小的特征尺寸，High NA EUV光刻机的成功安装和应用预示着行业技术的新突破。