随着存储技术的快速发展，200层以上NAND闪存的供应量正在增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。三星电子作为行业领导者，其236层V8 TLC NAND产能放量增长，290层V9 TLC/QLC NAND也开始量产，推动了存储卡、车载、PC服务器等多个领域的技术革新。

三星的第八代V-NAND闪存芯片，存储密度高达1Tb，输入和输出速度达到2.4 Gbps，满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。V8 NAND在存储卡、车载、PC领域已陆续部署，手机终端和服务器领域的应用也在加速推进。

在PC领域，三星电子已开始批量生产采用自研5nm控制器和第八代V-NAND的PCIe 5.0 NVMe SSD：PM9E1，提供强大的性能和增强的能效，成为AI PC的理想选择。此外，三星还推出了990 PRO系列4TB PCIe 4.0 SSD，同样采用了第8代V-NAND技术。

在车载领域，三星电子宣布成功开发基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD，与前代产品相比，能效提高约50%。存储卡领域也迎来了革新，三星电子推出了1TB大容量microSD存储卡PRO Plus和EVO Plus，均采用第八代V-NAND技术，升级28nm制程。

SK海力士、铠侠及西部数据等其他原厂也在积极推动200层以上NAND的应用，如SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用，并推出321层NAND Flash。铠侠及西部数据则推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入。

整体来看，随着技术的不断进步，200层以上NAND的广泛应用将为消费者和企业带来更快的数据传输速度和更高的存储密度，进一步推动存储市场的创新和发展。